優(yōu)勢產(chǎn)品:燒結(jié)銀、無壓燒結(jié)銀,有壓燒結(jié)銀,半燒結(jié)納米銀膏、納米銀導(dǎo)電墨水、導(dǎo)電膠、導(dǎo)電銀漿、導(dǎo)電油墨、銀/氯化銀、納米銀漿、可拉伸銀漿、燒結(jié)銀膜、納米焊料鍵合材料、UV銀漿、光刻銀漿、UV膠、導(dǎo)熱絕緣膠、DTS預(yù)燒結(jié)銀焊片、導(dǎo)電銀膜、銀玻璃膠粘劑,納米銀膠、納米銀膏、可焊接低溫銀漿、高導(dǎo)熱銀膠、導(dǎo)電膠等產(chǎn)品,擁有完善的納米顆粒技術(shù)平臺,金屬技術(shù)平臺、樹脂合成技術(shù)平臺、同位合成技術(shù)平臺,粘結(jié)技術(shù)平臺等。
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鉭電容低溫導(dǎo)電銀漿的5大核心特點解析
鉭電容作為電子電路中高頻濾波、低阻抗的關(guān)鍵元件,其性能高度依賴陰極材料的導(dǎo)電效率與穩(wěn)定性。低溫導(dǎo)電銀漿作為鉭電容陰極的核心材料,需滿足低溫固化、低阻抗、高可靠性等多重需求,以適配鉭電容“小型化、高頻化、高可靠性”的發(fā)展趨勢。善仁新材自2021年開發(fā)出鉭電容低溫導(dǎo)電銀漿AS6180以來,得到客戶的廣泛認(rèn)可,低溫導(dǎo)電銀漿的的核心特點可歸納為以下幾點:
一 低溫固化特性:保護(hù)介質(zhì)層,適配敏感基材
鉭電容的核心介質(zhì)層為五氧化二鉭(Ta?O?),其形成需在約1200℃高溫下燒結(jié),因此陰極材料的固化溫度需嚴(yán)格控制在200℃以下,以避免高溫對介質(zhì)層的損傷。
例如,善仁新材的的AS6180鉭電容低溫銀漿,推薦固化條件為“10-30 min@80℃ + 30 min@180℃”,既保證了銀漿的充分固化,又不會破壞Ta?O?介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)。
這種低溫固化特性,使鉭電容能夠在熱敏感基材,如塑料封裝、柔性電路板上應(yīng)用,拓展了其使用場景。
二 低阻抗特性:提升高頻濾波性能
鉭電容的核心性能指標(biāo)為等效串聯(lián)電阻ESR,其值越小,濾波效果越好(尤其在高頻電路中)。低溫導(dǎo)電銀漿的低阻抗特性主要源于以下兩點:
1高導(dǎo)電填料含量與優(yōu)化形貌:
銀漿中的銀粉是導(dǎo)電的核心介質(zhì),其形貌與粒徑分布直接影響導(dǎo)電性能。例如,AS6180聚合物片式鉭電容用低溫銀漿,采用復(fù)合體系銀粉,使銀漿的體積電阻率低至0.00002Ω·cm以下。
2低接觸電阻設(shè)計:
銀漿需與鉭電容的陰極引出層石墨層形成良好的歐姆接觸,以降低界面電阻。例如,AS6180低溫銀漿的接觸電阻極低,且固化后ESR值變化量小,聚合物鉭電容塑封后ESR變化量小于1mΩ,確保了高頻電路中的濾波穩(wěn)定性。
三 高可靠性:適應(yīng)復(fù)雜環(huán)境與機械應(yīng)力
鉭電容需在高濕度、高溫度沖擊、機械應(yīng)力下保持性能穩(wěn)定,因此低溫導(dǎo)電銀漿需具備以下可靠性特性:
1高附著力:AS6180銀漿需與鉭電容的介質(zhì)層(Ta?O?)、石墨層、引線框架等形成強結(jié)合,防止脫落。即使在高溫高濕(85℃/85%RH)環(huán)境下老化1000小時,附著力仍無明顯下降。
2抗沉降性與流平性:銀漿在儲存與使用過程中需保持均勻,避免銀粉沉降導(dǎo)致導(dǎo)電性能波動。AS6180銀漿采用抗沉降劑,儲存6個月后仍無明顯沉降;同時,其流動性適中,浸漬時能均勻覆蓋鉭電容芯塊表面,避免“邊角露銅”導(dǎo)致ESR上升。
3耐濕熱老化:鉭電容常用于戶外電子設(shè)備、汽車電子等潮濕環(huán)境,銀漿需具備良好的耐濕熱性能。例如,善仁新材的低溫銀漿通過柔性樹脂改性,耐濕熱老化1000小時后,ESR變化量小于4mΩ,確保了長期穩(wěn)定性。
四 材料兼容性:適配鉭電容結(jié)構(gòu)與工藝
鉭電容的結(jié)構(gòu)為“陽極(鉭絲+鉭粉燒結(jié)體)→ 介質(zhì)層(Ta?O?)→ 石墨層(引出)→ 銀漿層(陰極)”,低溫導(dǎo)電銀漿需與各層材料兼容:
與石墨層的兼容性:銀漿需與石墨層形成“化學(xué)鍵合”,以避免界面分離。例如,聚合物鉭電容用銀漿采用偶聯(lián)劑改性,增強了與石墨層的界面結(jié)合力。
與封裝材料的兼容性:銀漿固化后和塑封料具有良好的粘結(jié)性,防止塑封過程中銀漿層開裂。AS6180低溫銀漿的彈性模量適中,能適應(yīng)塑封過程中的機械應(yīng)力。
五 應(yīng)用場景針對性:區(qū)分傳統(tǒng)與聚合物鉭電容
鉭電容分為傳統(tǒng)二氧化錳鉭電容與聚合物鉭電容,兩者對銀漿的需求略有不同:
傳統(tǒng)二氧化錳鉭電容:需承受200℃以上高溫固化,因此銀漿需具備高熱穩(wěn)定性,避免固化過程中銀粉團(tuán)聚。
聚合物鉭電容:需在180℃以下低溫固化,因此銀漿需采用柔性樹脂體系,同時具備高觸變性,以確保ESR穩(wěn)定。
總之,鉭電容低溫導(dǎo)電銀漿AS6180的低溫固化、低阻抗、高可靠性特性,直接決定了鉭電容的高頻濾波性能、長期穩(wěn)定性。隨著電子電路向“小型化、高頻化、高可靠性”發(fā)展,鉭電容低溫導(dǎo)電銀漿的研發(fā)重點將集中在更低ESR、更高耐溫、更優(yōu)的機械性能上,以滿足5G通信、新能源汽車、人工智能等高端領(lǐng)域的需求。
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